ICパッケージへの低ダメージ・高発色印字

ICチップへのダメージを抑えつつ高い発色印字

  チップの高容量化/薄厚化に伴い、チップ内部へのダメージを回避するため、より浅く低ダメージなレーザ印字を行いたい

【課題】ICへのダメージ低減とレーザーの深堀印字のトレードオフ

• パッケージ表面にダメージを与えるとチップ内部にダメージがかかり 不良のリスクが高まる。
• 従来の基本波のレーザでダメージを抑えようとすると印字が薄くなる。
  
• 波長を変え、UVレーザやグリーンレーザを使うと設備投資が高くなる。

【解決策】ショートパルス ファイバー レーザーマーカーで印字

1nsショートパルスレーザと繊細なパルスコントロールで基本波でもダメージを抑えた高コントラストな印字を実現

Before：従来機種

深さ：約20μｍ

色差：136

AFTER：LP-RV200P

深さ：約5μｍ

色差：185

彫り込み深さを1/4に抑えながら、視認性（色差）を25%向上

ショートパルス・低ピークの両立

• 従来、ショートパルスにすると、ピークパワーが強すぎて、深堀してしまい、ピークパワーを下げるとパルスが重なり熱が発生するという課題がありました。
  
  　
  
  　　例） ショートパルス化してパルス間隔が拡がったため 焦げ色が発生した様子
  
  LP-RV200LPはパルス同士が重ならず、余計な熱の発生を抑えることが可能です。