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PhotoMOSリレー RF VSSOP C×R10 | PhotoMOSリレー

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  • 基本情報

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実装底面積 4.6mm2 C×R10 負荷電圧 30V/40V

現在、取得している海外安全規格はありません。

機器設計の際は、『最新の商品仕様書』にてご確認願います。
使用上の注意事項は、カタログ/データシートや、関連情報をご覧ください。

    • 特長

      1. さらなる実装底面積の小型化を実現したVSSOPタイプ
        実装面積 4.6 mm2を実現。従来品比（SONタイプ）約29 ％削減 
        機器の小型化・高密度実装に貢献します。
        実装面積　4.6mm2を実現。従来品比（SONタイプ）約29％削減
      2. [低Ronタイプ]
        出⼒端⼦間容量: Typ. 37.5 pF,オン抵抗: Typ. 0.18 Ω
        出⼒端⼦間容量: Typ. 14 pF,オン抵抗: Typ. 0.8 Ω
        [低Coutタイプ]
        出⼒端⼦間容量: Typ. 1.1 pF,オン抵抗: Typ. 9.5 Ω

    • 用途

      1. 計測機器
        ICテスタ、プローブカード、ボードテスタ、その他各種検査装置
      2. 通信機器
        ※車載用途にPhotoMOSをご検討の場合は、当社営業担当までお問い合わせください。

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    PhotoMOSリレー RF VSSOP C×R10 品番一覧
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    • ご不明な点などありましたら、お気軽にお問合せください。

      • 箱入数

        テーピング包装 Y、W : 1リール 1,000 個、外箱 1,000 個

      • 注）

        1,スペースの都合上、品番の⼀部 "1R6", "1R2", "1N2" のみ捺印しております。
        2,出力定格の負荷電圧・負荷電流はピーク AC、 DCをあらわします。
        3,包装形態はテーピング包装のみです。テーピング包装 Yは、 1, 4 番端子が引き出し方向です。テーピング包装 W は、 2, 3 番端子が引き出し方向です。

         

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