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PhotoMOSリレー 用語説明

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1. 用語説明

用途記号説明
入力側LED電流IF入力端子間を順方向バイアスによって流れる電流。
LED逆電圧VR入力端子間逆方向耐圧。
せん頭順電流IFP順電流の最大瞬時値。
動作LED電流IFon出力端子間に規定の電源電圧および負荷を接続した状態においてLED電流を増加し出力がONする時の電流。
復帰LED電流IFoff出力端子間に規定の電源電圧および負荷を接続して動作させた後、LED電流を減少し、出力がOFFする時の電流。
LED電圧降下VF順方向電流による入力端子間の電圧降下。
許容損失Pin入力端子間で許容し得る電力損失。
出力側負荷電圧VLPhotoMOSリレーを正常に動作させるための出力側電源電圧範囲。交流の場合はピーク値であらわす。
連続負荷電流IL規定の周囲温度条件のもとでPhotoMOSリレーの出力端子間に連続して流し得る最大電流値。交流の場合は、ピーク値であらわす。
オン抵抗Ron入力端子に規定のLED電流を流し、出力端子に規定の連続負荷電流を流した時の出力端子間の電圧降下VDS（on）より次の式で求める。
Ron=VDS（on）/IL
開路時漏れ電流ILeakLED電流を流さない状態において出力端子間に規定の電源電圧を印加した時、出力側に流れる電流。
出力損失Pout出力端子間で許容し得る電力損失。
開放出力電圧VocMOSFETを駆動させるために必要な電圧値。
短絡電流Isc入力側をONにした際にドライバから出力する電流。
電気的
性能		動作時間Ton入力端子に規定のLED電流を流してから、出力がONするまでの遅れ時間。
復帰時間Toff入力端子に流している規定のLED電流を遮断してから、出力がOFFするまでの遅れ時間。
入出力端子間容量Ciso入出力端子間静電容量。
出力端子間容量CoutLED電流を流さない状態においての出力端子間の静電容量。
入出力間絶縁抵抗Riso入出力端子間に指定の電圧を印加した時の端子間（入出力間）の抵抗。
全許容損失Pt入出力間の全回路において許容し得る電力損失。
耐電圧Viso入出力間絶縁抵抗測定箇所と同じ箇所に高電圧を1分間印加した時、絶縁破壊の起こらない限界値。
使用周囲温度Topr規定の許容負荷電流条件のもとでPhotoMOSリレーが正常に動作し得る使用可能な周囲温度範囲。
保存温度TstgPhotoMOSリレーに電圧を印加せず放置保存し得る周囲温度範囲。
最大開閉頻度-入力端子に規定のパルス入力を加えて動作復帰を連続した時に、PhotoMOSリレーが正常に動作し得る最大の開閉頻度。

2. 信頼性試験項目

分類項目条件目的
寿命試験高温保存試験Tstg(Max.)長時間高温保存に対する耐性の判定。
低温保存試験Tstg(Min.)長時間低温保存に対する耐性の判定。
高温・高湿
保存試験		85°C、85% RH長時間、高温高湿中で保存されたときの耐性の判定。
連続動作
寿命試験		VL=Max.、IL=Max.
IF=推奨入力LED電流		電気的ストレス(電圧、電流)を与えることによる耐性を判定する。
熱的環境
試験		温度サイクル
試験		低温保存温度(Tstg Min.)
高温保存温度(Tstg Max.)		低温および高温の状態にさらした場合の耐性を判定する。
熱衝撃試験低温温度(0°C)、
高温温度(100°C)		急激な温度の変化にさらした場合の耐性を判定する。
はんだ耐熱性260±5°C、10秒はんだ付け時に受ける熱的ストレスに対する耐性を判定する。
機械的環境
試験		振動試験196m/s2{20G}、
100～2,000Hz		輸送中または使用中に受ける振動に対する耐性を判定する。
衝撃試験9,800m/s2{1,000G}0.5ms、
4,900m/s2{500G}1ms		機械的、構造的耐性を判定する。
端子強度試験端子形状、断面積より決定端子部の強度が取り付け配線または使用中に加えられる外力に対する耐性を判定する。
はんだ付け性245°C、3秒（フラックス有）端子部のはんだ付け性を評価する。

関連情報

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