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PhotoMOSリレー RF VSSOP 低C×R | PhotoMOSリレー

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  • 基本情報

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低C×Rタイプ VSSOP 負荷電圧 60V/100V

現在、取得している海外安全規格はありません。

機器設計の際は、『最新の商品仕様書』にてご確認願います。
使用上の注意事項は、カタログ/データシートや、関連情報をご覧ください。

    • 特長

      1. 小型形状：VSSOP
        実装面積　4.6 mm2を実現。従来品比（SONタイプ）約29 ％削減 
        機器の小型化・高密度実装に貢献します。
        実装面積　4.6mm2を実現。従来品比（SONタイプ）約29％削減
      2. 負荷電圧：60 V，100 V
      3. 低C×R
        負荷電圧60 V（AQY222R2T）
        （出力端子間容量: Typ.27 pF，オン抵抗: Typ.0.8 Ω）
        負荷電圧100 V（AQY225R3T）
        （出力端子間容量: Typ.5.8 pF，オン抵抗: Typ.8.8 Ω）

    • 用途

      1. 計測機器
        ICテスタ、プローブカード、ボードテスタ、その他各種検査装置
      2. 通信機器
        ※車載用途には対応しておりません。

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    PhotoMOSリレー RF VSSOP 低C×R 品番一覧
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      • 箱入数

         テーピング包装 Y、W : 1リール 1,000 個、外箱 1,000 個

      • 注）

        1,スペースの都合上、品番の一部“2R2”，“5R3”のみ捺印しております。
        2,出力定格の負荷電圧・負荷電流はピーク AC、 DCをあらわします。
        3,包装形態はテーピング包装のみです。テーピング包装 Yは、 1, 4 番端子が引き出し方向です。テーピング包装 W は、 2, 3 番端子が引き出し方向です。

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