パナソニック インダストリー / 制御機器
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PhotoMOSリレー HE 1b | PhotoMOSリレー

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  • 基本情報

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低オン抵抗と経済性を両立させた1bタイプ

UL,VDEを取得しています。

品番により取得状況が異なります。

機器設計の際は、『最新の商品仕様書』にてご確認願います。
使用上の注意事項は、カタログ/データシートや、関連情報をご覧ください。

    • 特長

      1. 負荷電圧:250 Vと400 Vを品揃え
      2. 低オン抵抗(Typ. 5.5 Ω、AQV453)
      3. 耐電圧:5,000 Vrmsの強化絶縁タイプも品揃え
      4. 出力構成:1b
    • 用途

      1. セキュリティ機器
      2. 計測機器
      3. 電話装置
      4. センサ機器
        注)車載用途にPhotoMOSをご検討の場合は、当社営業担当までお問い合わせください。

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    PhotoMOSリレー HE 1b 品番一覧
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      • 箱入数

        標準P/C板端子 スティック包装 : 1スティック 50 個、外箱 500 個
        サーフェスマウント端子 スティック包装 : 1スティック 50 個、外箱 500 個
        サーフェスマウント端子 テーピング包装 X、Z : 1リール 1,000 個、外箱 1,000 個

      • 注)

        1,サーフェスマウント端⼦タイプ表⽰ "A" と包装形態区分 "X" 、 "Z" は商品に捺印しておりません。(ex:品番 AQV453AX → 捺印 AQV453)
        2,出力定格の負荷電圧・負荷電流はピーク AC、 DCをあらわします。
        3,テーピング包装 X は、 1, 2, 3 番端子が引き出し方向です。テーピング包装 Z は、 4, 5, 6 番端子が引き出し方向です。

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