パナソニック インダストリー / 制御機器
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PhotoMOSリレー GE 1a1b | PhotoMOSリレー

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  • 基本情報

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高耐電圧5,000Vを実現 1a1bタイプ

UL,VDEを取得しています。

機器設計の際は、『最新の商品仕様書』にてご確認願います。
使用上の注意事項は、カタログ/データシートや、関連情報をご覧ください。

    • 特長

      1. 負荷電圧:60 V品にて低オン抵抗(1 Ω)、高容量(0.5 A)を実現
      2. 負荷電圧:60 V、350 V、400 Vを品揃え
      3. 耐電圧:5,000 V(高耐電圧)
      4. 出力構成:1a1b
    • 用途

      1. 電源
      2. セキュリティ機器
      3. 電話装置
      4. センサ機器
      5. 計測器
      6. 通信モデム
      7. 電力・プラント装置

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    PhotoMOSリレー GE 1a1b 品番一覧
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      • 箱入数

        標準P/C板端子 スティック包装 : 1スティック 50 個、外箱 500 個
        サーフェスマウント端子 スティック包装 : 1スティック 50 個、外箱 500 個
        サーフェスマウント端子 テーピング包装 X、Z : 1リール 1,000 個、外箱 1,000 個

      • 注)

        1,サーフェスマウント端⼦タイプ表⽰ "A" と包装形態区分 "X"、"Z" は商品に捺印しておりません。(ex:品番 AQW612EHAX → 捺印 AQW612EH)
        2,出力定格の負荷電圧・負荷電流はピーク AC、 DCをあらわします。
        3,テーピング包装 X は、 1, 2, 3, 4 番端子が引き出し方向です。テーピング包装 Z は、5, 6, 7, 8 番端子が引き出し方向です。

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