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AQW610EH｜PhotoMOSリレー GE 1a1b

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※実際の商品は写真とは異なる場合がございます。

EU RoHS指令 2011/65/EUの6物質、及びEU RoHS指令 2015/863/EUの4物質の非含有規格に適合しております。

品番

AQW610EH

型番

AQW610EH

詳細

標準P/C板端子,スティック包装,負荷電圧:350 V

商品名

 PhotoMOSリレー GE 1a1b

商品特長

高耐電圧5,000Vを実現 1a1bタイプ

お問い合わせ

※商品改良のため、仕様・外観は予告なしに変更することがありますのでご了承ください。

スペック詳細

商品改良のため、仕様・外観は予告なしに変更することがありますのでご了承ください。
項目内容
品番AQW610EH
型番AQW610EH
商品名GE 1a1b
タイプGE
パッケージDIP8
電圧タイプAC/DC
出力構成1a1b
端子形状標準P/C板端子
包装形態スティック包装
箱入数
1スティック (個)		50
箱入数
外箱 (個)		500
LED電流 [ IF ]50mA
LED逆電圧 [ VR ]5V
せん頭順電流 [ IFP ]1A
許容損失 [ Pin ]75mW
負荷電圧 [ VL ]350V
連続負荷電流 [ IL ]0.12A
ピーク負荷電流 [ Ipeak ]0.36A
出力損失 [ Pout ]800mW
全許容損失 [ Pt ]850mW
耐電圧 [ Viso ]5,000Vrms
使用周囲温度：動作温度 [ Topr ]-40～+85℃
使用周囲温度：保存温度 [ Tstg ]-40～+100℃
接合部温度 [ Tj ]125℃
動作LED電流（平均）1.4mA (N.C.) (N.O.)
動作LED電流（最大）3mA (N.C.) (N.O.)
復帰LED電流（最小）0.4mA (N.C.) (N.O.)
復帰LED電流（平均）1.3mA (N.C.) (N.O.)
LED電圧降下（平均） [ VF ]1.25V
LED電圧降下（最大） [ VF ]1.5V
オン抵抗（平均） [ Ron ]18 Ω
オン抵抗（最大） [ Ron ]25 Ω
開路時漏れ電流（最大） [ ILeak ]1μA (N.O.), 10μA (N.C.)
過電流保護機能機能なし
動作時間（平均）0.5ms (N.O.), 1.0ms (N.C.)
動作時間（最大）3.0ms
復帰時間（平均）0.08ms (N.O.), 0.3ms (N.C.)
復帰時間（最大）1.0ms
入出力端子間容量（平均） [ Ciso ]0.8pF
入出力端子間容量（最大） [ Ciso ]1.5pF
入出力間絶縁抵抗（最小） [ Riso ]1,000 M ohm
[推奨動作条件] LED電流 [ IF ]最小：5mA　最大：30mA
[推奨動作条件] 負荷電圧 [ VL ]最大：280V
[推奨動作条件] 連続負荷電流 [ IL ]最大：0.14A (1ch), 0.12A (2ch)

規格適合情報

商品改良のため、仕様・外観は予告なしに変更することがありますのでご了承ください。
項目項目内容
UL取得
認定書(写)を
請求する		ファイルNo.E191218
定格UL Recognized
600mA channel 1
500mA channel 2
備考Device rating
1-pole 0.14A 350V AC(peak)
0.14A 350V DC
2-pole 0.12A 350V AC(peak)
0.12A 350V DC
更新日
VDE取得
認定書(写)を
請求する		ファイルNo.Nr.40051981
定格-
備考-
更新日
製品捺印 ※製品捺印はありません

※ 製品捺印は、製品に捺印されている規格の種類を示しています。ただし、規格に適合していても、製品によっては捺印が無い場合があります。

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