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AFPXHC60PD｜FP-XH

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EU RoHS指令 2011/65/EUの6物質、及びEU RoHS指令 2015/863/EUの4物質の非含有規格に適合しております。

品番

AFPXHC60PD

型番

AFPXHC60PD

商品

FP-XH コントロールユニット

詳細

C60
電源 : 24V DC
24V DC入力32点、0.5A / 24V DCトランジスタ出力28点(PNP)

商品名

 FP-XH

お問い合わせ

※商品改良のため、仕様・外観は予告なしに変更することがありますのでご了承ください。

スペック詳細

商品改良のため、仕様・外観は予告なしに変更することがありますのでご了承ください。
項目内容
品番AFPXHC60PD
型番AFPXHC60PD

一般仕様

項目内容
使用周囲温度0～+55℃
保存周囲温度-40～+70℃
使用周囲湿度10～95%RH(at25℃、結露なきこと)
保存周囲湿度10～95%RH(at25℃、結露なきこと)
耐電圧 : トランジスタ出力DC電源
電源端子-アース端子間 : 500V AC　1分間
電源端子-サービス電源端子間 : -
入力端子一括-アース端子間 : 500V AC　1分間
出力端子一括-アース端子間 : 500V AC　1分間
(注) : カットオフ電流：5mA(出荷時初期値)
絶縁抵抗(試験電圧500V DC)電源端子-アース端子間 : 100 MΩ以上 (500V DC絶縁抵抗計にて)
電源端子-サービス電源端子間 : 100 MΩ以上 (500V DC絶縁抵抗計にて)
入力端子一括-アース端子間 : 100 MΩ以上 (500V DC絶縁抵抗計にて)
出力端子一括-アース端子間 : 100 MΩ以上 (500V DC絶縁抵抗計にて)
耐振動5～8.4Hz 片振幅3.5mm
8.4～150Hz 加速度9.8m/s2
X、Y、Z各方向10回掃引 (1オクターブ/min.)
耐衝撃147m/s2 X、Y、Z各方向4回
耐ノイズ性1,000V[P-P] パルス幅50 ns、1μs(ノイズシミュレータ法による)(電源端子)
使用雰囲気腐食性ガスがないこと。塵埃がひどくないこと
EC指令適合規格EMC指令：EN 61131-2 (エミッション、イミュニティ、低電圧指令)
過電圧カテゴリカテゴリII
汚染度2

機能仕様

項目内容
プログラム方式リレーシンボル
制御方式サイクリック演算方式
プログラムメモリフラッシュROM内蔵
プログラム容量24k / 32k /40kステップ(切り替え可能)
(注) : システムレジスタNo.0 (シーケンシャルプログラム容量)を変更した場合は、データレジスタ(DT)のサイズも変更されます。
基本命令約110種類
応答命令約220種類
演算処理速度[基本命令(ST)]
約0.04μs/ステップ(7kステップまで)
約0.7μs/ステップ(7kステップ以降)
[応用命令(F0MV)]
約0.22μs/ステップ(7kステップまで)
約1.73μs/ステップ(7kステップ以降)
演算用メモリ : リレー : 外部入力(X)1,760点(X0～X109F)
(注) : 記載されている点数は演算メモリの点数であり、実際に使用できる点数はハードウェアの組み合わせによって決まります。
演算用メモリ : リレー : 外部出力(Y)1,760点(Y0～Y109F)
(注) : 記載されている点数は演算メモリの点数であり、実際に使用できる点数はハードウェアの組み合わせによって決まります。
演算用メモリ : リレー : 内部リレー(R)デフォルト：8,192点(R0～R511F)
演算用メモリ : リレー : 特殊内部リレー(R)240点
演算用メモリ : リンクリレー : タイマ、カウンタ(T/C)1,024点(初期設定タイマ1,008点、カウンタ16点)
(注) : システムレジスタNo.5の設定によりタイマ点数を変更できます。
演算用メモリ : リレー : リンクリレー( L )2,048点(L0～L127F)
演算用メモリ : メモリエリア : データレジスタ(DT)64k、32k、12kワード
※選択したプログラム容量によりDTサイズが変わる。
演算用メモリ : メモリエリア : 特殊データレジスタ(DT)500ワード
演算用メモリ : メモリエリア : リンクデータレジスタ(LD)256ワード(LD0～LD255)
演算用メモリ : メモリエリア : インデックスレジスタ (I)14ワード(I0～ID)
微分点数プログラム容量分
マスタコントロールリレー点数(MCR)256点
ラベル数( JMP+LOOP )256点
ステップラダー数1,000工程
サブルーチン数500サブルーチン
高速カウンタ : 本体入力単相8ch(100kHz×4、10kHz×4)または2相4ch(50kHz×2、10kHz×2)
(注1) : 高速カウンタ、パルス出力、 PWM出力の最大カウント速度、最大出力周波数は、電圧24 V DC、使用周囲温度+25℃時の仕様を示します。電圧、温度、使用する機能の組み合わせによっては、周波数が低下することがあります。
(注2) : 高速カウンタ、パルス出力、 PWM出力、、パルスキャッチ入力、割り込み入力の各機能で使用される入出力を重複して割り当てることはできません。
高速カウンタ : パルス入・出力カセット装着時装着不可
パルス出力/PWM出力 : 本体出力6ch
パルス出力：各100kHz
PWM出力：4ch、1Hz～70kHz(1,000分解能)、70.001kHz～100kHz(100分解能)
(注1) : 高速カウンタ、パルス出力、 PWM出力の最大カウント速度、最大出力周波数は、電圧24 V DC、使用周囲温度+25℃時の仕様を示します。電圧、温度、使用する機能の組み合わせによっては、周波数が低下することがあります。
(注2) : 高速カウンタ、パルス出力、 PWM出力、パルスキャッチ入力、割り込み入力の各機能で使用される入出力を重複して割り当てることはできません。
パルス出力/PWM出力 : パルス入・出力カセット装着時装着不可
パルスキャッチ入力
割り込み入力		8点(本体入力8点)
(注) : 高速カウンタ、パルス出力、 PWM出力、パルスキャプチャ入力、割り込み入力の各機能で使用される入出力を重複して割り当てることはできません。
定時割り込み1点　0.1ms～30s
ボリューム入力1ch(0～4,000)
入力時定数処理あり
カレンダタイマあり(マスタメモリカセットAFPX-MRTCおよび電池装着時のみ使用可能)
フラッシュROMバックアップ : F12 / P13の命令によるバックアップデータレジスタ全エリア
フラッシュROMバックアップ : 電源切断時の自動バックアップカウンタ16点、内部リレー128点、データレジスタ315ワード
電池バックアップシステムレジスタで保持エリアに設定しているメモリ(電池装着時のみ)
電池寿命実使用状態(1日8時間稼働)で5年以上
(注) : バッテリ寿命は、完全に電源が入っていない状態の値です。実際の使用値は、使用条件によって寿命が短い場合があります。
パスワードあり(4桁、8桁または32桁から選択可能)
PLC間リンク機能最大16台、リンクリレー1,024点、リンクレジスタ128ワード
(データ転送、リモートプログラミングは不可)
通信機能および対応通信プロトコル本体内蔵1ポート　通信カセット装着で合計最大5ポート
COM0～4：MEWTOCOL COM(コンピュータリンク)
マスタ/スレーブ
COM0～3：汎用通信
COM0～1：PLCリンク
COM0～3：MODBUS RTU
マスタ/スレーブ

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