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AQW227N｜PhotoMOSリレー RF 2a 低オン抵抗

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※実際の商品は写真とは異なる場合がございます。

EU RoHS指令 2011/65/EUの6物質、及びEU RoHS指令 2015/863/EUの4物質の非含有規格に適合しております。

品番

AQW227N

型番

AQW227N

詳細

標準P/C板端子,スティック包装,負荷電圧:200 V

商品名

 PhotoMOSリレー RF 2a 低オン抵抗

商品特長

低オン抵抗 負荷電圧200V/400V 2aタイプ

お問い合わせ

※商品改良のため、仕様・外観は予告なしに変更することがありますのでご了承ください。

スペック詳細

商品改良のため、仕様・外観は予告なしに変更することがありますのでご了承ください。
項目内容
品番AQW227N
型番AQW227N
商品名RF 2a 低オン抵抗
タイプRF
パッケージDIP8
電圧タイプAC/DC
出力構成2a
端子形状標準P/C板端子
包装形態スティック包装
箱入数
1スティック (個)		50
箱入数
外箱 (個)		500
LED電流 [ IF ]50mA
LED逆電圧 [ VR ]5V
せん頭順電流 [ IFP ]1A
許容損失 [ Pin ]75mW
負荷電圧 [ VL ]200V
連続負荷電流 [ IL ]0.05A
ピーク負荷電流 [ Ipeak ]0.15A
出力損失 [ Pout ]800mW
全許容損失 [ Pt ]850mW
耐電圧 [ Viso ]1,500Vrms
使用周囲温度：動作温度 [ Topr ]-40～+85℃
使用周囲温度：保存温度 [ Tstg ]-40～+100℃
接合部温度 [ Tj ]125℃
動作LED電流（平均）0.9mA
動作LED電流（最大）3.0mA
復帰LED電流（最小）0.4mA
復帰LED電流（平均）0.8mA
LED電圧降下（平均） [ VF ]1.25V
LED電圧降下（最大） [ VF ]1.5V
オン抵抗（平均） [ Ron ]30 Ω
オン抵抗（最大） [ Ron ]50 Ω
出力端子間容量（平均） [ Cout ]10pF
出力端子間容量（最大） [ Cout ]15pF
開路時漏れ電流（最大） [ ILeak ]10nA
過電流保護機能機能なし
動作時間（平均）0.2ms
動作時間（最大）0.5ms
復帰時間（平均）0.08ms
復帰時間（最大）0.2ms
入出力端子間容量（平均） [ Ciso ]0.8pF
入出力端子間容量（最大） [ Ciso ]1.5pF
入出力間絶縁抵抗（最小） [ Riso ]1,000 M ohm
[推奨動作条件] LED電流 [ IF ]最小：5mA　最大：30mA
[推奨動作条件] 負荷電圧 [ VL ]最大：160V
[推奨動作条件] 連続負荷電流 [ IL ]最大：0.07A (1ch), 0.05A (2ch)

規格適合情報

商品改良のため、仕様・外観は予告なしに変更することがありますのでご了承ください。
項目項目内容
UL取得
認定書(写)を
請求する		ファイルNo.E191218
定格UL Recognized
600mA channel 1
500mA channel 2
備考Device rating
1-pole 0.07A 200V AC(peak)
0.07A 200V DC
2-pole 0.05A 200V AC(peak)
0.05A 200V DC
更新日
製品捺印 ※製品捺印はありません

※ 製品捺印は、製品に捺印されている規格の種類を示しています。ただし、規格に適合していても、製品によっては捺印が無い場合があります。

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