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AQV252G｜PhotoMOSリレー HE 1a 高容量 (6pin)

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※実際の商品は写真とは異なる場合がございます。

EU RoHS指令 2011/65/EUの6物質、及びEU RoHS指令 2015/863/EUの4物質の非含有規格に適合しております。

品番

AQV252G

型番

AQV252G

詳細

標準P/C板端子,スティック包装,負荷電圧:60 V

商品名

 PhotoMOSリレー HE 1a 高容量 (6pin)

商品特長

シリーズMax. 3.5A負荷の高頻度開閉が可能

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※商品改良のため、仕様・外観は予告なしに変更することがありますのでご了承ください。

スペック詳細

商品改良のため、仕様・外観は予告なしに変更することがありますのでご了承ください。
項目内容
品番AQV252G
型番AQV252G
商品名HE 1a 高容量
タイプHE
パッケージDIP6
電圧タイプAC/DC
出力構成1a
端子形状標準P/C板端子
包装形態スティック包装
箱入数
1スティック (個)		50
箱入数
外箱 (個)		500
LED電流 [ IF ]50mA
LED逆電圧 [ VR ]5V
せん頭順電流 [ IFP ]1A
許容損失 [ Pin ]75mW
負荷電圧 [ VL ]60V
連続負荷電流 [ IL ]2.5A
ピーク負荷電流 [ Ipeak ]6.0A
出力損失 [ Pout ]600mW
全許容損失 [ Pt ]650mW
耐電圧 [ Viso ]1,500Vrms
使用周囲温度：動作温度 [ Topr ]-40～+85℃
使用周囲温度：保存温度 [ Tstg ]-40～+100℃
接合部温度 [ Tj ]125℃
動作LED電流（平均）0.5mA
動作LED電流（最大）3.0mA
復帰LED電流（最小）0.2mA
復帰LED電流（平均）0.45mA
LED電圧降下（平均） [ VF ]1.14V
LED電圧降下（最大） [ VF ]1.5V
オン抵抗（平均） [ Ron ]0.08 Ω
オン抵抗（最大） [ Ron ]0.12 Ω
開路時漏れ電流（最大） [ ILeak ]1μA
過電流保護機能機能なし
動作時間（平均）1.1ms
動作時間（最大）5.0ms
復帰時間（平均）0.25ms
復帰時間（最大）0.5ms
入出力端子間容量（平均） [ Ciso ]0.8pF
入出力端子間容量（最大） [ Ciso ]1.5pF
入出力間絶縁抵抗（最小） [ Riso ]1,000 M ohm
[推奨動作条件] LED電流 [ IF ]最小：5mA　最大：30mA
[推奨動作条件] 負荷電圧 [ VL ]最大：48V
[推奨動作条件] 連続負荷電流 [ IL ]最大：2.5A

規格適合情報

商品改良のため、仕様・外観は予告なしに変更することがありますのでご了承ください。
項目項目内容
UL取得
認定書(写)を
請求する		ファイルNo.E191218
定格UL Recognized
3500mA connect A
5000mA connect B
7000mA connect C
備考Device rating
2.5A 60V AC(peak)A connection
2.5A 60V DC A connection
3.5A 60V DC B connection
5.0A 60V DC C connection
更新日
VDE取得
認定書(写)を
請求する		ファイルNo.Nr.40051981
定格-
備考-
更新日
製品捺印 ※製品捺印はありません

※ 製品捺印は、製品に捺印されている規格の種類を示しています。ただし、規格に適合していても、製品によっては捺印が無い場合があります。

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