IC封裝的低損傷・高顯色印刷

降低對IC晶片的損傷並且做到高顯色的刻字

隨著晶片的高容量／薄型化，希望採用刻印深度較淺的低破壞性雷射刻字，以避免傷害晶片內部

【課題】降低對IC的損傷與雷射深刻間的取捨

• 若對封裝表面造成傷害，也會破壞晶片內部，增加不良品的風險 。
• 若想採用以往的基本波長雷射來減少破壞性，會使刻字變淡。
  
• 若要改變波長，採用UV雷射或綠光雷射則會增加設備投資。
  
  

【解決對策】 用短脈衝光纖雷射雕刻機刻字

利用1ns短脈衝雷射與細微的脈衝控制，即便是基本波長也能降低破壞性並且做出高對比的刻字

Before：既有機種

深度：約20μｍ

色差：136

AFTER：LP-RV200P

深度：約5μｍ

色差：185

雕刻深度降低至1/4，但辨識度（色差）反而提升25%

兼具短脈衝・低峰值

• 以往面臨的課題是改為短脈衝後，功率峰值過強導致雕刻過深，而降低功率峰值卻又導致脈衝重疊而發熱。
  
  
  
  
  
  　　例）改為短脈衝後脈衝間隔加大，因而出現焦色的模樣
  
  LP-RV200LP不會讓脈衝之間重疊，可避免產生多餘的熱。