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HG-C1100-P｜CMOS 타입 마이크로 레이저 측거 센서 HG-C

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EU RoHS 지침 2011/65/EU 6개 물질 및 EU RoHS 지침 2015/863/EU 4개 물질의 비함유 규정에 적합하며.

품번

HG-C1100-P

형번

HG-C1100-P

상품

CMOS 타입 마이크로 레이저 측거 센서

상세

측정 중심 100mm 타입

상품명

 CMOS 타입 마이크로 레이저 측거 센서 HG-C

기술·자료·견적

※제품의 사양 및 디자인은 개선 등을 위해 예고 없이 변경될 수 있습니다.

상세 스펙

제품의 사양 및 디자인은 개선 등을 위해 예고 없이 변경될 수 있습니다.
항목내용
품번HG-C1100-P
형번HG-C1100-P
품명CMOS 타입 마이크로 레이저 측거 센서
전체 제품 상세 정보측정 중심 100mm 타입
적합 규제 및 인증CE 마킹(EMC 지령, RoHS 지령), UKCA 마킹(EMC 규칙, RoHS 규칙), FDA 규칙, UL/c-UL 인증
(주) : UL/c-UL 인증은 2017년 4월 출하분부터.
측정 중심 거리100mm
측정 범위±35mm
반복 정밀도70μm
직선성±0.1% F.S.
온도 특성0.03% F.S./℃
광원적색 반도체 레이저 클래스2(JIS/IEC/GB)／클래스II(FDA)(주)
최대 출력: 1mW
발광 피크 파장: 655nm
(주): FDA 규칙의 Laser Notice No.50의 규정에 따라 FDA 규칙에 준거합니다.
빔 지름약 ø120μm
(주): 측정 중심 거리에 대한 크기입니다. 중심광 강도의 1/e2(약 13.5%)로 정의되어 있습니다.
정의역 외에도 누설광이 있어, 검출 포인트의 범위가 검출 포인트에 비해 반사율이 높은 경우는 그 영향을 받을 수 있습니다.
전원 전압12～24V DC±10%　리플 P-P10%
소비 전류40mA 이하(전원 전압 24V DC 시), 60mA 이하(전원 전압 12V DC 시)
제어 출력PNP 트랜지스터・오픈 컬렉터
・최대 유출 전류: 50mA
・인가 전압: 30V DC 이하(제어 출력-+V간)
・잔류 전압: 1.5V 이하(유출 전류 50mA에서)
・누출 전류: 0.1mA 이하
제어 출력:출력 동작입광 시 ON／비입광 시 ON　변환 가능
제어 출력:단락 보호장착(자동 복귀형)
응답 시간1.5ms／5ms／10ms　변환 가능
외부 입력PNP 무접점 입력
・입력 조건
무효: 0～+0.6V DC 또는 개방
유효: +4～+V DC
・입력 임피던스: 약 10kΩ
오손도2
사용 표고2,000m 이하
내환경성:보호 구조IP67(IEC)
내환경성:사용 주위 온도-10～+45℃(단, 결로 및 결빙되지 않을 것), 보관 시: -20～+60℃
내환경성:사용 주위 습도35～85%RH, 보관 시: 35～85%RH
내환경성:사용 주위 조도백열 램프: 수광면 조도 3,000ℓx 이하
내환경성:내진동내구 10～55Hz(주기 1분) 복진폭 1.5mm XYZ 각 방향 2시간
내환경성:내충격내구 500m/s2(약 50G) XYZ 각 방향 3회
케이블0.2mm2 5심 복합 케이블 2m 부속
케이블 연장0.3mm2 이상의 케이블로 전체 길이 10m까지 연장 가능
재질본체 케이스: 알루미늄 다이캐스트
전면 커버: 아크릴
질량본체 질량: 35g(케이블 비포함), 약 85g(케이블 포함)

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