AQY221N2M1Y|PhotoMOS 릴레이 RF SON C×R10
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EU RoHS 지침 2011/65/EU 6개 물질 및 EU RoHS 지침 2015/863/EU 4개 물질의 비함유 규정에 적합하며.
품번 | AQY221N2M1Y |
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형번 | AQY221N2M1Y |
상품 | 저출력 단자간 용량(저Cout 타입) |
상세 | 표면 마운트 단자, 테이핑 포장(1Y), 부하 전압: 40 V |
상품명 | PhotoMOS 릴레이 RF SON C×R10 |
특징 | 소형 저배 SON 패키지 C×R10: 부하 전압 40V |
기술·자료·견적
※제품의 사양 및 디자인은 개선 등을 위해 예고 없이 변경될 수 있습니다.
상세 스펙
제품의 사양 및 디자인은 개선 등을 위해 예고 없이 변경될 수 있습니다.
항목 | 내용 |
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품번 | AQY221N2M1Y |
형번 | AQY221N2M1Y |
전체 제품 상세 정보 | 표면 마운트 단자, 테이핑 포장(1Y), 부하 전압: 40 V |
품명 | 저출력 단자간 용량(저Cout 타입) |
상품명 | RF SON C×R10 |
타입 | RF |
패키지 | SON |
전압 타입 | AC/DC |
출력 구성 | 1a |
단자 형상 | 표면 마운트 단자 |
포장 형태 | 테이핑 포장(1Y) |
상자 수 1릴 (개) | 1,000 |
상자 수 Outer carton(개) | 1,000 |
LED전류 [ IF ] | 50mA |
LED역전압 [ VR ] | 5V |
선두순 전류 [ IFP ] | 1A |
허용 손실 [ Pin ] | 75mW |
부하 전압 [ VL ] | 40V |
연속 부하 전류 [ IL ] | 0.12A |
출력 손실 [ Pout ] | 250mW |
전허용 손실 [ Pt ] | 300mW |
내전압 [ Viso ] | 200Vrms |
사용 주위 온도: 동작 온도 [ Topr ] | -40~+85℃ |
사용 주위 온도: 저장 온도 [ Tstg ] | -40~+100℃ |
접합부 온도 [ Tj ] | 125℃ |
동작LED전류(평균) | 1.0mA |
동작LED전류(최대) | 3.0mA |
복귀LED전류(최소) | 0.2mA |
복귀LED전류(평균) | 0.9mA |
LED전압 강하(평균) [ VF ] | 1.14V |
LED전압 강하(최대) [ VF ] | 1.5V |
ON 저항(평균) [ Ron ] | 9.5 Ω |
ON 저항(최대) [ Ron ] | 12.5 Ω |
출력 단자간 용량(평균) [ Cout ] | 1.1pF |
출력 단자간 용량(최대) [ Cout ] | 1.5pF |
개로시 누설 전류(평균) [ ILeak ] | 0.01nA |
개로시 누설 전류(최대) [ ILeak ] | 10nA |
과전류 보호 기능 | 기능 없음 |
동작 시간(평균) | 0.02ms |
동작 시간(최대) | 0.2ms |
복귀 시간(평균) | 0.02ms |
복귀 시간(최대) | 0.2ms |
입출력 단자간 용량(평균) [ Ciso ] | 0.8pF |
입출력 단자간 용량(최대) [ Ciso ] | 1.5pF |
[권장 동작 조건] LED전류 [ IF ] | 최소: 5mA 최대: 30mA |
[권장 동작 조건] 부하 전압 [ VL ] | 최대: 15V |
[권장 동작 조건] 연속 부하 전류 [ IL ] | 최대: 0.12A |