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AQW654AZ｜PhotoMOS 릴레이 HE 1a1b

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EU RoHS 지침 2011/65/EU 6개 물질 및 EU RoHS 지침 2015/863/EU 4개 물질의 비함유 규정에 적합하며.

품번

AQW654AZ

형번

AQW654AZ

상세

표면 마운트 단자, 테이핑 포장(Z), 부하 전압: 400 V

상품명

 PhotoMOS 릴레이 HE 1a1b

특징

저 ON 저항과 경제성을 양립한 1a1b 타입

기술·자료·견적

※제품의 사양 및 디자인은 개선 등을 위해 예고 없이 변경될 수 있습니다.

상세 스펙

제품의 사양 및 디자인은 개선 등을 위해 예고 없이 변경될 수 있습니다.
항목내용
품번AQW654AZ
형번AQW654AZ
전체 제품 상세 정보표면 마운트 단자, 테이핑 포장(Z), 부하 전압: 400 V
상품명HE 1a1b
타입HE
패키지DIP8
전압 타입AC/DC
출력 구성1a1b
단자 형상표면 마운트 단자
포장 형태테이핑 포장(Z)
상자 수 1릴 (개)1,000
상자 수 Outer carton(개)1,000
LED전류 [ IF ]50mA
LED역전압 [ VR ]5V
선두순 전류 [ IFP ]1A
허용 손실 [ Pin ]75mW
부하 전압 [ VL ]400V
연속 부하 전류 [ IL ]0.12A
피크 부하 전류 [ Ipeak ]0.36A
출력 손실 [ Pout ]800mW
전허용 손실 [ Pt ]850mW
내전압 [ Viso ]1,500Vrms
사용 주위 온도: 동작 온도 [ Topr ]-40~+85℃
사용 주위 온도: 저장 온도 [ Tstg ]-40~+100℃
접합부 온도 [ Tj ]125℃
동작LED전류(평균)0.9mA
동작LED전류(최대)3.0mA
복귀LED전류(최소)0.4mA
복귀LED전류(평균)0.8mA
LED전압 강하(평균) [ VF ]1.25V
LED전압 강하(최대) [ VF ]1.5V
ON 저항(평균) [ Ron ]11 Ω
ON 저항(최대) [ Ron ]16 Ω
개로시 누설 전류(최대) [ ILeak ]1μA
과전류 보호 기능기능 없음
동작 시간(평균)0.8ms (N.O.), 1.2ms (N.C.)
동작 시간(최대)2.0ms
복귀 시간(평균)0.04ms (N.O.), 0.36ms (N.C.)
복귀 시간(최대)1.0ms
입출력 단자간 용량(평균) [ Ciso ]0.8pF
입출력 단자간 용량(최대) [ Ciso ]1.5pF
입출력간 절연 저항(최소) [ Riso ]1,000 M Ω
[권장 동작 조건] LED전류 [ IF ]최소: 5mA 최대: 30mA
[권장 동작 조건] 부하 전압 [ VL ]최대: 320V
[권장 동작 조건] 연속 부하 전류 [ IL ]최대: 0.16A (1ch), 0.12A (2ch)

규격적합정보

제품의 사양 및 디자인은 개선 등을 위해 예고 없이 변경될 수 있습니다.
항목항목내용
UL취득
認定書(写)を
請求する		파일No.E191218
정격UL Recognized
600mA channel 1
500mA channel 2
비고-
갱신일
제품날인 ※제품날인은 없습니다

※ 제품 날인은 상품에 날인된 규격의 종류를 나타냅니다. 단, 규격에 적합하더라도 제품에 따라서는 날인이 없는 경우도 있습니다.

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