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AQV412EH｜PhotoMOS 릴레이 GE 1b (6pin)

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※실제 상품은 사진과 다른 경우가 있습니다.

EU RoHS 지침 2011/65/EU 6개 물질 및 EU RoHS 지침 2015/863/EU 4개 물질의 비함유 규정에 적합하며.

품번

AQV412EH

형번

AQV412EH

상세

표준 P/C판 단자, 스틱 포장, 부하 전압: 60 V

상품명

 PhotoMOS 릴레이 GE 1b (6pin)

특징

고내전압 5,000V 실현 1b 타입

기술·자료·견적

※제품의 사양 및 디자인은 개선 등을 위해 예고 없이 변경될 수 있습니다.

상세 스펙

제품의 사양 및 디자인은 개선 등을 위해 예고 없이 변경될 수 있습니다.
항목내용
품번AQV412EH
형번AQV412EH
전체 제품 상세 정보표준 P/C판 단자, 스틱 포장, 부하 전압: 60 V
상품명GE 1b
타입GE
패키지DIP6
전압 타입AC/DC
출력 구성1b
단자 형상표준 P/C판 단자
포장 형태스틱 포장
상자 수 1스틱 (개)50
상자 수 Outer carton(개)500
LED전류 [ IF ]50mA
LED역전압 [ VR ]5V
선두순 전류 [ IFP ]1A
허용 손실 [ Pin ]75mW
부하 전압 [ VL ]60V
연속 부하 전류 [ IL ]0.55A
피크 부하 전류 [ Ipeak ]1.5A
출력 손실 [ Pout ]500mW
전허용 손실 [ Pt ]550mW
내전압 [ Viso ]5,000Vrms
사용 주위 온도: 동작 온도 [ Topr ]-40~+85℃
사용 주위 온도: 저장 온도 [ Tstg ]-40~+100℃
접합부 온도 [ Tj ]125℃
동작LED전류(평균)1.9mA
동작LED전류(최대)3mA
복귀LED전류(최소)0.4mA
복귀LED전류(평균)1.8mA
LED전압 강하(평균) [ VF ]1.25V
LED전압 강하(최대) [ VF ]1.5V
ON 저항(평균) [ Ron ]1 Ω
ON 저항(최대) [ Ron ]2.5 Ω
개로시 누설 전류(최대) [ ILeak ]10μA
과전류 보호 기능기능 없음
동작 시간(평균)3ms
동작 시간(최대)8ms
복귀 시간(평균)0.3ms
복귀 시간(최대)1.5ms
입출력 단자간 용량(평균) [ Ciso ]0.8pF
입출력 단자간 용량(최대) [ Ciso ]1.5pF
입출력간 절연 저항(최소) [ Riso ]1,000 M Ω
[권장 동작 조건] LED전류 [ IF ]최소: 5mA 최대: 30mA
[권장 동작 조건] 부하 전압 [ VL ]최대: 48V
[권장 동작 조건] 연속 부하 전류 [ IL ]최대: 0.55A

규격적합정보

제품의 사양 및 디자인은 개선 등을 위해 예고 없이 변경될 수 있습니다.
항목항목내용
UL취득
認定書(写)を
請求する		파일No.E191218
정격UL Recognized
550mA connect A
650mA connect B
800mA connect C
비고-
갱신일
VDE취득
認定書(写)を
請求する		파일No.Nr.40051981
정격-
비고-
갱신일
제품날인 ※제품날인은 없습니다

※ 제품 날인은 상품에 날인된 규격의 종류를 나타냅니다. 단, 규격에 적합하더라도 제품에 따라서는 날인이 없는 경우도 있습니다.

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