測定中心距離 | 150mm±2mm | 50mm±1mm | 100mm±1mm |
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測定範囲 | X座標 | ±15mm | ±5mm | ±10mm |
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Z座標 | ±25mm | ±3mm | ±10mm |
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分解能(3σ) | X座標 | 60μm | 20μm | 40μm |
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Z座標 | 250μm | 10μm | 60μm |
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光源 | レーザ光 | 半導体レーザ:波長780nm |
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パルス幅 | 2.5μs(Duty 50%) |
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出力 | 最大出力10mW(ピーク) 平均出力5mW クラス3B |
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応答性 | 走査周期※ | 20ms | 40ms |
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サンプリング数 | 400点/周期 | 800点/周期 |
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出力 | デジタル出力 | X、Z座標などのデータ出力:3出力(符号付11ビットバイナリ:負理論) 準備OK、データ取込完了、判定比較出力など |
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出力分解能 | X座標 | ±15μm | ±5μm | ±10μm |
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Z座標 | ±50μm | ±5μm | ±20μm |
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パラシリ出力 | データ表示用パラシリ出力 |
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アナログ出力 | X、Z座標アナログ出力、受光量モニタ出力 |
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入力 | デジタル入力 | プログラムNo.切替(256品種:8ビットバイナリ) 取込スタート、プログラムNo.切替表示、電源リセットなど |
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シリアル入出力 | RS-232C(1ch) |
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表示 | プログラムNo. | 0~255 |
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データ表示 | DATA1、2、3 ±4桁 |
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感度切替 | オート、マニュアル(7段) |
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その他 | ゲイン表示、ブライト、ダーク、インバリッド(判断不可)、レーザ放射、赤色LEDガイド光(レーザ走査幅表示用)など |
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レーザ放射安全対策 | レーザ放射表示、キースイッチ、レーザ放射制御、放射遅延 |
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使用温度/湿度範囲 | 0~+50℃/35~85%RH(ただし結露なきこと) |
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保存温度/湿度範囲 | -20℃~+70℃/35~85%RH(ただし結露なきこと) |
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定格操作電圧/定格周波数 | AC100V(-15%, +10%)/50、60Hz共用 |
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定格消費電力 | 60VA以下 |
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サイズ/質量(重量) | センサ部 | 65×30×74.5mm/約200g |
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コントローラ | 430×99×285.5mm/約7.5kg |
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ケーブル長 | センサ部:2m/約250g:センサ部重量含まず |
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中継ケーブル:8m/約1kg |